SI4569DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI4569DY-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 6A, 10V |
Leistung - max | 3.1W, 3.2W |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 855pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.6A, 7.9A |
Konfiguration | N and P-Channel |
Grundproduktnummer | SI4569 |
SI4569DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI4569DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
SI4565DY-T1-GE3 VISHAY
SI4599DY SI
Si4599DY-T1-E3 VISHAY
VISHAY SOP
VS SOP-8
SI4590DY-T1 SILICONIX
VISHAY SOP8
VBSEMI SO-8
MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
VISHAY SOP
MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
2024/06/4
2024/08/25
2024/04/19
2024/05/9
SI4569DY-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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